SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23

SI2324DS-T1-GE3
80.82 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
68.73 ₽
63.44 ₽
53.63 ₽
50.60 ₽
42.30 ₽
40.03 ₽
Доступность: 5809 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2324DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2324DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,9нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SI2324DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
234мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,8А

Отзывы не найдены

Описание (si2324ds.pdf, 249 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России