SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23

SI2336DS-T1-GE3
101.96 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
9000+
Цена
79.31 ₽
66.47 ₽
43.05 ₽
37.01 ₽
28.70 ₽
26.44 ₽
25.68 ₽
24.17 ₽
22.66 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,7нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI2336DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,1А

Отзывы не найдены

Описание (si2336ds.pdf, 217 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России