SI2366DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23

SI2366DS-T1-GE3
109.52 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
75.53 ₽
52.87 ₽
46.07 ₽
33.99 ₽
30.21 ₽
25.68 ₽
24.92 ₽
Доступность: 835 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2366DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2366DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI2366DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,8А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России