Москва
 +7(993)080-09-37

SI3410DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А; 4,1Вт

Написать отзыв
SI3410DV-T1-GE3
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3410DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 30А; 4,1Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3410DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
33нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI3410DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
4,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8А
Ток стока в импульсном режиме
30А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены