Москва
 +7(993)080-09-37

SI3430DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт

Написать отзыв
SI3430DV-T1-E3
83.08 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
83.08 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3430DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт" 3000.

Отложить
Артикул производителя
SI3430DV-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,2нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SI3430DV-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,185Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,4А
Ток стока в импульсном режиме
8А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России