SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А

SI3440DV-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

171.21 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
120.10 ₽
97.10 ₽
86.03 ₽
83.48 ₽
79.22 ₽
77.51 ₽
Доступность: 1733 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Артикул производителя
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Код производителя
SI3440DV-T1-GE3
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
150В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,59Вт
Сопротивление в открытом состоянии
375мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,2А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России