Москва
 +7(993)080-09-37

SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А

Написать отзыв
SI3440DV-T1-GE3
151.81 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
106.50 ₽
86.10 ₽
76.28 ₽
74.02 ₽
70.24 ₽
68.73 ₽
Доступность: 2243 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
150В
Обозначение производителя
SI3440DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,59Вт
Сопротивление в открытом состоянии
375мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,2А
Ток стока в импульсном режиме
6А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России