Москва
 +7(993)080-09-37

SI3458BDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 10А

Написать отзыв
SI3458BDV-T1-E3
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 10А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3458BDV-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SI3458BDV-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
128мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,1А
Ток стока в импульсном режиме
10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены