Москва
 +7(993)080-09-37

SI3460DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А

Написать отзыв
SI3460DDV-T1-GE3
75.53 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
15000+
Цена
56.65 ₽
41.54 ₽
36.25 ₽
28.70 ₽
25.68 ₽
22.66 ₽
21.15 ₽
20.39 ₽
19.64 ₽
Доступность: 5605 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3460DDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI3460DDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
7,9А
Ток стока в импульсном режиме
20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России