SI4178DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8

SI4178DY-T1-GE3
87.61 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
64.20 ₽
53.63 ₽
51.36 ₽
44.56 ₽
41.54 ₽
40.03 ₽
Доступность: 461 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4178DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4178DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI4178DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,7А

Отзывы не найдены

Описание (si4178dy-t1-dte.pdf, 254 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России