SI4850EY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8

SI4850EY-T1-E3

Срок поставки 4-6 недель

374.79 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
311.75 ₽
283.65 ₽
220.61 ₽
195.06 ₽
162.69 ₽
138.84 ₽
114.99 ₽
106.47 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4850EY-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
27нC
Код производителя
SI4850EY-T1-E3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8,5А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России