SI5468DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 30А; 5,7Вт

SI5468DC-T1-GE3
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI5468DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 30А; 5,7Вт" 1.

Артикул производителя
SI5468DC-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI5468DC-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены