Москва
 +7(993)080-09-37

SI7414DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,7А; Idm: 30А

Написать отзыв
SI7414DN-T1-GE3
237.92 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
9000+
Цена
214.50 ₽
188.07 ₽
171.45 ₽
159.37 ₽
151.06 ₽
148.04 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7414DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,7А; Idm: 30А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SI7414DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8,7А
Ток стока в импульсном режиме
30А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России