SI7456DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5,7А; Idm: 40А; 1Вт

SI7456DP-T1-GE3
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI7456DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5,7А; Idm: 40А; 1Вт" 1.

Артикул производителя
SI7456DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
44нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SI7456DP-T1-GE3
Полярность
полевой
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,7А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены