SI7850DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; Idm: 40А; 0,9Вт

SI7850DP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

490.63 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
346.68 ₽
260.65 ₽
232.54 ₽
178.02 ₽
157.58 ₽
149.91 ₽
142.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI7850DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; Idm: 40А; 0,9Вт" 1.

Артикул производителя
SI7850DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
27нC
Код производителя
SI7850DP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,2А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России