Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI8472DB-T2-E1
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,5А
Ток стока в импульсном режиме
20А
Отзывы не найдены