Москва
 +7(993)080-09-37

SI8806DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 3,9А; Idm: 20А

Написать отзыв
SI8806DB-T2-E1
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI8806DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 3,9А; Idm: 20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI8806DB-T2-E1 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
17нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
12В
Обозначение производителя
SI8806DB-T2-E1
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,9А
Ток стока в импульсном режиме
20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены