SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8

SI9926CDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

333.90 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
5000+
7500+
25000+
Цена
231.69 ₽
172.06 ₽
151.62 ₽
111.58 ₽
97.96 ₽
81.77 ₽
71.55 ₽
67.29 ₽
63.88 ₽
Доступность: 2300 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
33нC
Код производителя
SI9926CDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России