SI9945BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8

SI9945BDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

213.80 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
213.80 ₽
201.87 ₽
160.14 ₽
138.84 ₽
115.84 ₽
103.07 ₽
99.66 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI9945BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8" 5.

Артикул производителя
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20нC
Код производителя
SI9945BDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,3А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России