Москва
 +7(993)080-09-37

SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт

Написать отзыв
SIA416DJ-T1-GE3
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Корпус
PowerPAK® SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIA416DJ-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
12Вт
Сопротивление в открытом состоянии
83мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
11,3А
Ток стока в импульсном режиме
15А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены