Москва
 +7(993)080-09-37

SIDR5102EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А

Написать отзыв
SIDR5102EP-T1-RE3
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIDR5102EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIDR5102EP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
51нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIDR5102EP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
150Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
126А
Ток стока в импульсном режиме
300А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены