Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт

Написать отзыв
SIHB100N60E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
1 060.48 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
Цена
856.05 ₽
751.28 ₽
627.77 ₽
621.81 ₽
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB100N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Код производителя
SIHB100N60E-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
19А
Ток стока в импульсном режиме
73А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России