Москва
 +7(993)080-09-37

SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт

Написать отзыв
SIHB125N60EF-GE3
837.61 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
15+
25+
Цена
712.99 ₽
624.62 ₽
567.98 ₽
543.05 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB125N60EF-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
47нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB125N60EF-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
66А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России