SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт

SIHB12N60ET1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

385.86 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
800+
Цена
346.68 ₽
307.50 ₽
275.13 ₽
247.02 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
58нC
Код производителя
SIHB12N60ET1-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
147Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
7,8А
Ток стока в импульсном режиме
27А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России