Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт

Написать отзыв
SIHB12N65E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
646.51 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
Цена
509.37 ₽
442.08 ₽
368.82 ₽
321.98 ₽
310.90 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB12N65E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
70нC
Код производителя
SIHB12N65E-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
156Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
8А
Ток стока в импульсном режиме
28А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России