Москва
 +7(993)080-09-37

SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт

Написать отзыв
SIHB15N60E-GE3
423.72 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
397.28 ₽
367.07 ₽
335.35 ₽
325.53 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB15N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
78нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHB15N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
180Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
9,6А
Ток стока в импульсном режиме
39А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России