Москва
 +7(993)080-09-37

SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт

Написать отзыв
SIHB21N80AE-GE3
613.29 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
440.33 ₽
372.36 ₽
332.33 ₽
325.53 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB21N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
72нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHB21N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,235Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
11А
Ток стока в импульсном режиме
38А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России