SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт

SIHB22N60AE-GE3

Срок поставки 4-6 недель

860.31 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
774.28 ₽
683.99 ₽
614.99 ₽
573.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB22N60AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
443нC
Код производителя
SIHB22N60AE-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
51А
Ток стока в импульсном режиме
268А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России