SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт

SIHB22N60ET5-GE3

Срок поставки 4-6 недель

850.94 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
800+
Цена
764.91 ₽
676.32 ₽
609.03 ₽
545.14 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB22N60ET5-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
86нC
Код производителя
SIHB22N60ET5-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
227Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13А
Ток стока в импульсном режиме
56А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России