SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт

SIHB24N65E-GE3
1 043.81 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
Цена
827.79 ₽
725.83 ₽
623.11 ₽
620.09 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB24N65E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
122нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHB24N65E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России