Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт

Написать отзыв
SIHB24N80AE-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
507.67 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
2+
10+
Цена
487.22 ₽
451.45 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB24N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
89нC
Код производителя
SIHB24N80AE-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
184мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13А
Ток стока в импульсном режиме
51А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России