Москва
 +7(993)080-09-37

SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт

Написать отзыв
SIHB8N50D-GE3
235.65 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
212.99 ₽
188.07 ₽
169.18 ₽
157.85 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHB8N50D-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
SIHB8N50D-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
156Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,5А
Ток стока в импульсном режиме
18А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России