Москва
 +7(993)080-09-37

SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт

Написать отзыв
SIHD12N50E-GE3
324.02 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
Цена
271.15 ₽
232.63 ₽
181.27 ₽
171.45 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHD12N50E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
SIHD12N50E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
114Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,6А
Ток стока в импульсном режиме
21А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России