SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252

SIHD14N60E-GE3
358.76 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
75+
Цена
299.09 ₽
274.17 ₽
257.55 ₽
Доступность: 371 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

Артикул производителя
SIHD14N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
64нC
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHD14N60E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
147Вт
Сопротивление в открытом состоянии
309мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
32А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России