Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252

Написать отзыв
SIHD1K4N60E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
302.39 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
198.47 ₽
133.73 ₽
123.51 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHD1K4N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
7,5нC
Код производителя
SIHD1K4N60E-GE3
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
63Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме
5А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России