Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт

Написать отзыв
SIHD2N80E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
352.64 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
30+
100+
300+
Цена
247.02 ₽
206.13 ₽
196.76 ₽
157.58 ₽
151.62 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHD2N80E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19,6нC
Код производителя
SIHD2N80E-GE3
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,8А
Ток стока в импульсном режиме
5А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России