Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHD6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт

Написать отзыв
SIHD6N80AE-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
352.64 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
25+
75+
Цена
157.58 ₽
151.62 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHD6N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22,5нC
Код производителя
SIHD6N80AE-GE3
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,2А
Ток стока в импульсном режиме
10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России