SIHFR1N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252

SIHFR1N60A-GE3

Срок поставки 4-6 недель

109.03 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
20+
75+
300+
Цена
98.81 ₽
86.88 ₽
78.36 ₽
72.40 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60A-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252" 1.

Артикул производителя
SIHFR1N60A-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
14нC
Код производителя
SIHFR1N60A-GE3
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,98А

Отзывы не найдены

Описание (irfr1n60a.pdf, 250 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России