SIHFR1N60ATRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт

SIHFR1N60ATRL-GE3

Срок поставки 4-6 недель

155.88 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
122.66 ₽
108.18 ₽
97.10 ₽
90.29 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHFR1N60ATRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт" 1.

Артикул производителя
SIHFR1N60ATRL-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
14нC
Код производителя
SIHFR1N60ATRL-GE3
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,89А
Ток стока в импульсном режиме
5,6А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России