SIHG100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт; TO247AC

SIHG100N60E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

997.45 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
Цена
896.26 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHG100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт; TO247AC" 1.

Артикул производителя
SIHG100N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
50нC
Код производителя
SIHG100N60E-GE3
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
19А
Ток стока в импульсном режиме
73А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России