SIHG64N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 40А; Idm: 202А; 520Вт; TO247AC

SIHG64N65E-GE3
1 949.85 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
1 686.38 ₽
1 559.13 ₽
1 523.20 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHG64N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 40А; Idm: 202А; 520Вт; TO247AC" 1.

Артикул производителя
SIHG64N65E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
369нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
SIHG64N65E-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
202А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России