Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIHG80N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт; TO247AC

Написать отзыв
SIHG80N60E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
2 422.62 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
Цена
2 132.65 ₽
2 095.24 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHG80N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт; TO247AC" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHG80N60E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
443нC
Код производителя
SIHG80N60E-GE3
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
51А
Ток стока в импульсном режиме
268А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России