Москва
 +7(993)080-09-37

SIHG80N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 254А; 520Вт; TO247AC

Написать отзыв
SIHG80N60EF-GE3
3 540.42 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
3 179.64 ₽
2 817.37 ₽
2 532.93 ₽
2 361.53 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHG80N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 254А; 520Вт; TO247AC" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
400нC
Корпус
TO247AC
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
SIHG80N60EF-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
520Вт
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
51А
Ток стока в импульсном режиме
254А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России