SIHP11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB

SIHP11N80E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

802.72 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
40+
Цена
679.42 ₽
596.94 ₽
488.10 ₽
467.69 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHP11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB" 1.

Артикул производителя
SIHP11N80E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
88нC
Код производителя
SIHP11N80E-GE3
Корпус
TO220AB
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
179Вт
Сопротивление в открытом состоянии
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
32А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России