SIHP8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт; TO220AB

SIHP8N50D-GE3

Срок поставки 4-6 недель

306.97 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
125+
250+
500+
Цена
226.19 ₽
181.12 ₽
162.41 ₽
155.61 ₽
138.61 ₽
132.65 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHP8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт; TO220AB" 1.

Артикул производителя
SIHP8N50D-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
30нC
Код производителя
SIHP8N50D-GE3
Корпус
TO220AB
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
156Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,5А
Ток стока в импульсном режиме
18А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России