SIHU2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт

SIHU2N80E-GE3

Срок поставки 4-6 недель

267.86 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
241.50 ₽
213.44 ₽
193.03 ₽
179.42 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHU2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

Артикул производителя
SIHU2N80E-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
19,6нC
Код производителя
SIHU2N80E-GE3
Корпус
IPAK, TO251
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,8А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России