Москва
 +7(993)080-09-37

SIHU3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт

Написать отзыв
SIHU3N50D-GE3
136.98 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
75+
Цена
107.04 ₽
95.81 ₽
85.33 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHU3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHU3N50D-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
12нC
Корпус
IPAK, TO251
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
SIHU3N50D-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
69Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,9А
Ток стока в импульсном режиме
5,5А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России