Москва
 +7(993)080-09-37

SIHU4N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт

Написать отзыв
SIHU4N80AE-GE3
288.17 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
75+
100+
500+
Цена
227.54 ₽
172.90 ₽
159.43 ₽
157.93 ₽
153.44 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHU4N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHU4N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
32нC
Корпус
IPAK, TO251
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHU4N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
69Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,7А
Ток стока в импульсном режиме
11А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России