Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А

Написать отзыв
SIRA00DP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
518.74 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
125+
500+
Цена
343.27 ₽
245.32 ₽
241.91 ₽
230.83 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,22мкC
Код производителя
SIRA00DP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,35мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
100А
Ток стока в импульсном режиме
400А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России