SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

SIRA04DP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

333.90 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
230.83 ₽
167.80 ₽
148.21 ₽
127.77 ₽
124.36 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Артикул производителя
SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
77нC
Код производителя
SIRA04DP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
40Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России