SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А

SIRA18ADP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

120.10 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
Цена
92.84 ₽
79.22 ₽
46.85 ₽
41.74 ₽
Доступность: 2574 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Артикул производителя
SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21,5нC
Код производителя
SIRA18ADP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
9,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
24,5А
Ток стока в импульсном режиме
70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России